Microchip Technology JANS1N6141US

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, C

表面安装

YES

供应商器件包装

C, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

8.65 V

Pd - Power Dissipation

3 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

111.9 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Part Number

JANS1N6141US

Power Dissipation (Max)

7.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Risk Rank

5.34

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Waffle

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 uA

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

工作电压

6.9 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

8.65V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

111.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

13.4V

箝位电压

13.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

6.9V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6.9 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

8.19 V

最大箝位电压

14 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes