Microchip Technology JANS1N6166US

工厂交货时间

24 Weeks

包装/外壳

C-2

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

90.25 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

10.355 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Part Number

JANS1N6166US

Power Dissipation (Max)

7.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Risk Rank

5.35

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

工作电压

76 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

箝位电压

144.48 V

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

76 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

90 V

最大箝位电压

144 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes