Microchip Technology JANS1N6167A/TR

安装类型

通孔

包装/外壳

C, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

C, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

104.5 V

Pd - Power Dissipation

3 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

9.9 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.87

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Power Dissipation (Max)

3 W

Manufacturer Part Number

JANS1N6167A/TR

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

GLASS

Package Style

长式

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

JESD-609代码

e0

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

5 uA

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

工作电压

86.6 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

104.5V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

9.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

151.3V

箝位电压

151.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

86.6V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

86.6 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

104.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes