Microchip Technology JANS2N3637UB/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

UB

Product Status

活跃

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

微芯片技术

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

RoHS

Non-Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1.5 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

55 at 100 uA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

300 at - 50 mA, - 10 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

175 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/357

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1.5 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

175 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

175 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT