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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 子类别 | 技术 | 配置 | 功率 - 最大 | 产品类别 | 晶体管类型 | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 连续集电极电流 | 产品类别 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANS2N5794UC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-SMD, No Lead | UC | Bulk | 活跃 | 900 mV | 600mA | 6 V | 600 mW | NPN | + 200 C | - 65 C | 微芯片技术 | 1 | SMD/SMT | Microchip | Microchip / Microsemi | 300 at 150 mA, 10 V | N | 40 V | -65°C ~ 200°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/495 | Transistors | Si | Dual | 600mW | BJTs - Bipolar Transistors | 2 NPN (Dual) | 100 @ 150mA, 10V | 10μA (ICBO) | 900mV @ 30mA, 300mA | 40V | - | 75 V | 600 mA | Bipolar Transistors - BJT | ||
| JANS2N5794UC/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-SMD, No Lead | UC | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 900 mV | 600mA | 6 V | 600 mW | NPN | + 200 C | - 65 C | 微芯片技术 | 1 | SMD/SMT | Microchip | Microchip / Microsemi | 300 at 150 mA, 10 V | N | 40 V | -65°C ~ 200°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/495 | Transistors | Si | Dual | 600mW | BJTs - Bipolar Transistors | 2 NPN (Dual) | 100 @ 150mA, 10V | 10μA (ICBO) | 900mV @ 30mA, 300mA | 40V | - | 75 V | 600 mA | Bipolar Transistors - BJT |
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