Microchip Technology JANTX1N6163A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

C, Axial

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Base Product Number

1N6163

Breakdown Voltage / V

71.3 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.044798 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

14.5 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Reverse Stand-off Voltage

56 V

Number of Elements

1

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Bulk

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

Axial

工作电压

56 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

功率耗散

1.5 kW

电源线保护

无

电压 - 击穿

71.3V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

14.5A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

103.1V

箝位电压

103.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

56V

峰值脉冲电流

14.5 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

双向

测试电流

20 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

反向击穿电压

71.3 V

双向通道数

1

最小击穿电压

71.3 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无

无铅

含铅