Microchip Technology JANTX2N2919U

包装/外壳

3-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

供应商器件包装

3-SMD

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Product Status

活跃

Base Product Number

2N2919

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

20

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N2919U

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.24

系列

Military, MIL-PRF-19500/355

操作温度

200°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

350 mW

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-PDSO-N6

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

30 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100μA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

最大耗散功率(Abs)

1.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

150

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无