Microchip Technology JANTX2N3868S

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

3 mA

Base Product Number

2N3868

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Unit Weight

0.162437 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

3 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N3868S

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

600 ns

Risk Rank

0.99

Part Package Code

BCY

系列

Military, MIL-PRF-19500/350

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/350

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

10

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

100μA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

3

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT