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'jantxv1n3036dur1'

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

二极管元件材料

厂商

操作温度

包装

系列

容差

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

附加功能

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

参考标准

终端样式

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

箱体转运

功率 - 最大

阻抗-最大

测试电流

参考电压

电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

产品类别

最大电压允差

工作测试电流

电压允差

齐纳电流

Vf-正向电压

产品类别

直径

长度

RoHS状态

JANTXV1N3036DUR-1
JANTXV1N3036DUR-1
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AB, MELF (Glass)

DO-213AB (MELF, LL41)

Microchip

Microchip / Microsemi

微芯片技术

N

Bulk

活跃

1N3036

80 Ohms

0.001411 oz

1

SMD/SMT

-55°C ~ 175°C

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/115

±1%

Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

10 μA @ 35.8 V

1.2 V @ 200 mA

1 W

47 V

齐纳二极管

齐纳二极管

1.7 mm

3.7 mm

JANTXV1N3036DUR-1
JANTXV1N3036DUR-1
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18 Weeks

表面贴装

DO-213AB, MELF (Glass)

YES

2

SILICON

1

1W

-55°C~175°C

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/115

±1%

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

冶金结合

8541.10.00.50

END

环绕

未说明

未说明

MIL-19500/115K

O-LELF-R2

Qualified

UNIDIRECTIONAL

SINGLE

泽纳电极

10μA @ 35.8V

1.2V @ 200mA

ISOLATED

1W

80Ohm

47V

47V

1%

5.5mA

Non-RoHS Compliant

JANTXV1N3036DUR-1/TR
JANTXV1N3036DUR-1/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AB, MELF (Glass)

DO-213AB (MELF, LL41)

Tape & Reel (TR)

活跃

80 Ohms

10 uA

80 Ohms

10 uA

1 W

+ 175 C

0.001411 oz

微芯片技术

- 55 C

1

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

47 V

N

0.102 %/C

-55°C ~ 175°C

切割胶带

Military, MIL-PRF-19500/115

±1%

Diodes & Rectifiers

Single

10 μA @ 35.8 V

1.2 V @ 200 mA

1 W

5.5 mA

47 V

齐纳二极管

1 %

19 mA

1.2 V

齐纳二极管