Microchip Technology JANTXV1N6122US

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

44.7 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

7.7 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

O-XELF-N2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Part Number

JANTXV1N6122US

Power Dissipation (Max)

1.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Breakdown Voltage-Nom

47 V

Risk Rank

5.35

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

额定电流

1 uA

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

工作电压

35.8 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

44.7V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

7.7A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

64.6V

箝位电压

64.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

35.8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

35.8 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

42.3 V

最大箝位电压

67.8 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes