Microchip Technology JANTXV2N2484UB/TR

包装/外壳

3-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

-

Base Product Number

2N2484

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Product Status

活跃

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

微芯片技术

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

45 at 1 uA, 5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

800 at 500 uA, 5 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/376

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

360 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

2nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100μA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT