Microchip Technology JANTXV2N3637L
- 收藏
- 对比
JANTXV2N3637L
1610-JANTXV2N3637L
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
大陆
立即发货

TRANS PNP 175V 1A TO5
1最小包装量--
JANTXV2N3637L详情
Microchip Technology JANTXV2N3637L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-5
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Product Status
活跃
Base Product Number
2N3637
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
JANTXV2N3637L
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Semicoa Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
SEMICOA CORP
Risk Rank
5.05
Part Package Code
TO-5
系列
Military, MIL-PRF-19500/357
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/357
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
最大集极截止电流
10μA
JEDEC-95代码
TO-5
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
175 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
1 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
175 V
JANTXV2N3637L拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。