Microchip Technology JANTXV2N4237

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Product Status

活跃

Base Product Number

2N4237

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Number of Elements

1

系列

Military, MIL-PRF-19500/581

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bulk

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

极性

NPN

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无