Microchip Technology JANTXV2N6989U/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

供应商器件包装

6-SMD

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 500mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

800 mA

DC Current Gain hFE Max

325 at 1 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Quad

功率 - 最大

1W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

4 PNP (Quad)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT