注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥290.297769
10

￥273.865824
100

￥258.363987
500

￥243.739606
1000

￥229.943027

Microchip Technology JANTXV2N918UB/TR

Name: JANTXV2N918UB/TR
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-JANTXV2N918UB/TR
Price: 290.3 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

JANTXV2N918UB/TR

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-JANTXV2N918UB/TR

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

3-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 15V 0.05A UB

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

JANTXV2N918UB/TR Microchip Technology TRANS NPN 15V 0.05A UB

单价: $

合计: ￥

库存:39

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

JANTXV2N918UB/TR详情

技术参数

Microchip Technology JANTXV2N918UB/TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

3-SMD, No Lead
供应商器件包装

UB
厂商

微芯片技术
Package

Tape & Reel (TR)
Product Status

活跃
Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

15 V
RoHS

N
DC Current Gain hFE Max

200 at 3 mA, 1 V
Maximum DC Collector Current

50 mA
Brand

Microchip / Microsemi
Manufacturer

Microchip
Mounting Styles

SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Minimum Operating Temperature

- 65 C
Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV
DC Collector/Base Gain hfe Min

10 at 500 uA, 10 V
Maximum Operating Temperature

+ 200 C
Transistor Polarity

NPN
Pd - Power Dissipation

200 mW
Emitter- Base Voltage VEBO

3 V
系列

Military, MIL-PRF-19500/301
操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)
子类别

Transistors
技术

Si
配置

Single
功率 - 最大

200 mW
产品类别

BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型

NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V
最大集极截止电流

1μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V
频率转换

-
集电极基极电压(VCBO)

30 V
产品类别

Bipolar Transistors - BJT

0个相似型号

JANTXV2N918UB/TR拓展信息

热销零件