Microchip Technology LDTS30A

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

LDTS30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-50 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

LDTS30A

Power Dissipation (Max)

50 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

33 V

Risk Rank

5.6

包装

Tray

操作温度

-50°C ~ 175°C (TJ)

系列

LDTS

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ANODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

33V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

-

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

48.5V

电压 - 反向断态（典型值）

30V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

JEDEC-95代码

TO-3

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

反向电流-最大值

100 µA

击穿电压-最小值

33 V

最大箝位电压

48.5 V