Microchip Technology MAP6KE75CAE3

包装/外壳

T-18, Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

T-18

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Base Product Number

P6KE75

Product Status

活跃

Package

Bulk

Breakdown Voltage / V

7.13 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.024692 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

53 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAP6KE7.5CAE3

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

75 V

Risk Rank

5.5

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

6.4 V

工作电压

6.4 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

71.3V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

5.8A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

103V

箝位电压

11.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

64.1V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

64.1 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

7.13 V

最大箝位电压

103 V

击穿电压-最大值

7.88 V

Vf-正向电压

3.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes