Microchip Technology MAP6KE8.2AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-18, Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

T-18

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package

Bulk

Base Product Number

P6KE8.2

Supplier Package

T-18

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Breakdown Voltage / V

7.79 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.024692 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

50 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAP6KE82AE3

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.5

Usage Level

Military grade

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

7.02 V

工作电压

7.02 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.79V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

50A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

12.1V

箝位电压

12.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

7.02V

测试电流

10 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

70.1 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

77.9 V

击穿电压-最大值

86.1 V

Vf-正向电压

3.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes