Microchip Technology MAPLAD130KP275CVE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.077603 oz

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD130

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAPLAD130KP275CVE3

Power Dissipation (Max)

250 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.76

系列

MA

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

1

JESD-30代码

R-PSSO-G1

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

300V

功率 - 脉冲峰值

40000W (40kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

90A (8/20µs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

400V

电压 - 反向断态（典型值）

275V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

275 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1300001 W

击穿电压-最小值

300 V