Microchip Technology MAPLAD30KP75Ae3

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PLAD

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

83.3 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

246 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.070548 oz

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

250 W

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAPLAD30KP75AE3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Usage Level

Military grade

系列

MA

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

无铅代码

有

类型

Zener

应用

通用型

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

75 V

工作电压

75 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

83.3V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

246A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

121V

箝位电压

121 V

电压 - 反向断态（典型值）

75V

测试电流

5 mA

单向通道

1

电容@频率

-

筛选水平

Military

ESD保护

有

Vf-正向电压

4 V