Microchip Technology MASMBG60CA

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-215AA, SMB Gull Wing

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Base Product Number

SMBG60

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Breakdown Voltage / V

6.67 V

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.003527 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

58.3 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Reverse Stand-off Voltage

6 V

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MASMBG6.0CA

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

7.02 V

Risk Rank

5.51

Part Package Code

DO-215AA

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

工作电源电压

6 V

工作电压

6 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

66.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

6.2A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

96.8V

箝位电压

10.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

60V

峰值脉冲电流

58.3 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

双向

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

6.67 V

双向通道数

1

最大箝位电压

10.3 V

击穿电压-最大值

7.37 V

最小击穿电压

6.67 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes