Microchip Technology MASMBG75A

包装/外壳

DO-215AA, SMB Gull Wing

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Base Product Number

SMBG75

Breakdown Voltage / V

83.3 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

4.9 A

Brand

微芯片技术

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

87.7 V

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.003527 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

RoHS

N

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MASMBG75A

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Risk Rank

5.51

Part Package Code

DO-215AA

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

工作电源电压

75 V

工作电压

75 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

83.3V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

4.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

121V

箝位电压

121 V

电压 - 反向断态（典型值）

75V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

83.3 V

最大箝位电压

121 V

击穿电压-最大值

92.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes