Microchip Technology MASMBJ43A

包装/外壳

DO-214AA-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Breakdown Voltage / V

47.8 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Ipp - Peak Pulse Current

8.6 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.003527 oz

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJ43

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MASMBJ43A

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

50.3 V

Risk Rank

5.46

Part Package Code

DO-214AA

Usage Level

Military grade

包装

Bulk

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电源电压

43 V

工作电压

43 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

47.8V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

8.6A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

69.4V

箝位电压

69.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

43V

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

43 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

47.8 V

最大箝位电压

69.4 V

击穿电压-最大值

52.8 V