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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥26.498741
10
¥24.998815
100
¥23.583785
500
¥22.248854
1000
¥20.989484
Microchip Technology MP6KE82AE3
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- 对比
MP6KE82AE3
1610-MP6KE82AE3
TVS - 二极管
T-18, Axial
大陆
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TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MP6KE82AE3详情
Microchip Technology MP6KE82AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
T-18, Axial
底架
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
T-18
Product Status
活跃
Base Product Number
P6KE82
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Supplier Package
T-18
Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Direction Type
Uni-Directional
Mounting
通孔
Breakdown Voltage / V
77.9 V
Pd - Power Dissipation
5 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.024692 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
5.3 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Reverse Stand-off Voltage
70.1 V
Usage Level
Military grade
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
类型
Zener
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
引脚数量
2
终端样式
Axial
工作电源电压
70.1 V
工作电压
70.1 V
极性
单向
配置
Single
通道数量
1 Channel
元素配置
Single
电源线保护
无
电压 - 击穿
77.9V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
5.3A
最大反向漏电电流
1 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
113V
箝位电压
113 V
电压 - 反向断态(典型值)
70.1V
峰值脉冲电流
5.3 A
峰值脉冲功率
600 W
方向
单向
测试电流
10 mA
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
电容@频率
-
筛选水平
Military
ESD保护
有
单向通道数
1
最小击穿电压
77.9 V
Vf-正向电压
3.5 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
MP6KE82AE3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip Technology
Microchip Technology
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