Microchip Technology MPLAD15KP85A

包装/外壳

非标准 SMD

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Base Product Number

PLAD15

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

15000 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Breakdown Voltage / V

9.44 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

1.041 kA

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

15 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MPLAD15KP85A

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

99.2 V

Risk Rank

2.21

Usage Level

Military grade

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电源电压

8.5 V

工作电压

8.5 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

94.4V

功率 - 脉冲峰值

15000W (15kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

108A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

137V

箝位电压

14.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

85V

测试电流

5 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

85 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

15000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

94.4 V

最大箝位电压

137 V

击穿电压-最大值

104 V

Vf-正向电压

2 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes