Microchip Technology MPLAD30KP300A/TR

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

N

Breakdown Voltage / V

333 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Ipp - Peak Pulse Current

62 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Risk Rank

5.53

Breakdown Voltage-Nom

351 V

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Manufacturer Part Number

MPLAD30KP300A/TR

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10 uA

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

300 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

333V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

62A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

483V

箝位电压

483 V

电压 - 反向断态（典型值）

300V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

300 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

击穿电压-最小值

333 V

最大箝位电压

483 V

击穿电压-最大值

369 V

Vf-正向电压

4 V