Microchip Technology MPLAD30KP350AE3/TR

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

389 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Ipp - Peak Pulse Current

53 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MPLAD30KP350AE3/TR

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

410 V

Risk Rank

5.55

系列

MPLAD

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

10 uA

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

350 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

389V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

53A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

564V

箝位电压

564 V

电压 - 反向断态（典型值）

350V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

350 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

击穿电压-最小值

389 V

最大箝位电压

564 V

击穿电压-最大值

431 V

Vf-正向电压

4 V