Microchip Technology MPLAD30KP48AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

PLAD-2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

PLAD

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

53.3 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

390 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.077603 oz

Supplier Package

PLAD

Mounting

表面贴装

Reverse Stand-off Voltage

48 V

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Usage Level

Military grade

系列

MPLAD

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

类型

Zener

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

48 V

工作电压

48 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

53.3V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

390A

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

77.4V

箝位电压

77.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

48V

峰值脉冲电流

390 A

峰值脉冲功率

30 kW

方向

单向

测试电流

5 mA

单向通道

1

电容@频率

-

筛选水平

Military

ESD保护

有

单向通道数

1

最小击穿电压

53.3 V

Vf-正向电压

4 V