Microchip Technology MS1N8170US
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MS1N8170US
1610-MS1N8170US
TVS - 二极管
A-Package-2
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
1最小包装量--
MS1N8170US详情
Microchip Technology MS1N8170US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
A-Package-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
A, SQ-MELF
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Ipp - Peak Pulse Current
1.76 A
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Breakdown Voltage / V
58.9 V
RoHS
N
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
类型
Zener
应用
通用型
额定电流
500 nA
终端样式
SMD/SMT
工作电压
53 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
58.9V
功率 - 脉冲峰值
150W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
1.76A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
85.3V
箝位电压
85.3 V
电压 - 反向断态(典型值)
53V
单向通道
1
电容@频率
-
MS1N8170US拓展信息
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