Microchip Technology MS2N5116

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

P-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

4 V

Drain-Source Current at Vgs=0

3 mA

Rds On - Drain-Source Resistance

175 Ohms

Pd - Power Dissipation

500 mW

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Maximum Drain Gate Voltage

30 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

5 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

175 Ohms