Microchip Technology MSMBJ85CAE3

包装/外壳

DO-214AA, SMB

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Base Product Number

SMBJ85

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Breakdown Voltage / V

94.4 V

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.003527 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

4.4 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMBJ85CAE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.58

Part Package Code

DO-214AA

Usage Level

Military grade

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

工作电源电压

85 V

工作电压

85 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

94.4V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

4.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

137V

箝位电压

137 V

电压 - 反向断态（典型值）

85V

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

85 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

94.4 V

击穿电压-最大值

104 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes