Microchip Technology MSMBJSAC10E3

包装/外壳

DO-214AA, SMB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJSAC10

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.003527 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Reverse Stand-off Voltage

10 V

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMBJSAC10E3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.61

Part Package Code

DO-214AA

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

11.1V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

29A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

16.3V

箝位电压

16.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

10V

峰值脉冲电流

29 A

峰值脉冲功率

500 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

10 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

30pF @ 1MHz

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

11.1 V

最小击穿电压

11.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes