Microchip Technology MSMBJSAC75e3

包装/外壳

DO-214AA-2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.003527 oz

Reverse Stand-off Voltage

75 V

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJSAC75

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMBJSAC75E3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.61

Part Package Code

DO-214AA

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

83.3V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

4.1A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

121V

箝位电压

121 V

电压 - 反向断态（典型值）

75V

峰值脉冲电流

4.1 A

峰值脉冲功率

500 W

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

30pF @ 1MHz

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

83.3 V

最小击穿电压

83.3 V