Microchip Technology MSMCJ36A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-214AB-2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-214AB (SMCJ)

Pd - Power Dissipation

1.56 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.009065 oz

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

25.8 A

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Breakdown Voltage / V

40 V

RoHS

N

Supplier Package

DO-214AB

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Schedule B

8541100050, 8541100080, 8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080

Reverse Stand-off Voltage

36 V

Number of Elements

1

Package

Bulk

Base Product Number

SMCJ36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Usage Level

Military grade

包装

Bulk

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

类型

Zener

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

36 V

工作电压

36 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

泄漏电流

1 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

40V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

25.8A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

58.1V

箝位电压

58.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

36V

峰值脉冲电流

25.8 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

电容@频率

-

反向击穿电压

40 V

筛选水平

Military

ESD保护

有

单向通道数

1

最小击穿电压

40 V