Microchip Technology MSMCJ8.5AE3
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MSMCJ8.5AE3
1610-MSMCJ8.5AE3
TVS - 二极管
DO-214AB, SMC
大陆
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TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
1最小包装量--
MSMCJ8.5AE3详情
Microchip Technology MSMCJ8.5AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-214AB, SMC
安装类型
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
DO-214AB (SMCJ)
Product Status
活跃
Package
Bulk
Base Product Number
SMCJ8.5
厂商
微芯片技术
Supplier Package
DO-214AB
Mounting
表面贴装
Direction Type
Uni-Directional
Peak Pulse Power Dissipation
1500 W
Breakdown Voltage / V
9.44 V
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.009065 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
104.2 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Usage Level
Military grade
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
类型
Zener
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
电压 - 供电
8.5 V
终端样式
SMD/SMT
工作电压
8.5 V
极性
单向
配置
Single
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
9.44V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
104.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
14.4V
箝位电压
14.4 V
电压 - 反向断态(典型值)
8.5V
测试电流
1 mA
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
电容@频率
-
筛选水平
Military
ESD保护
有
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
MSMCJ8.5AE3拓展信息
Microchip Technology
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