Microchip Technology MSMCJLCE10Ae3

包装/外壳

DO-214AB (SMCJ)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB (SMCJ)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

12.3 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

8 kV

Vesd - Voltage ESD Air Gap

15 kV

Cd - Diode Capacitance

100 pF

Ipp - Peak Pulse Current

88 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Supplier Package

DO-214AB

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMCJLCE10

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Risk Rank

5.23

Part Package Code

DO-214AB

Breakdown Voltage-Nom

11.7 V

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Power Dissipation (Max)

5 W

Manufacturer Part Number

MSMCJLCE10AE3

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

R-PDSO-C2

Usage Level

Military grade

包装

Bulk

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电压

10 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

11.1V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

88A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

17V

箝位电压

17 V

电压 - 反向断态（典型值）

10V

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

10 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

100pF @ 1MHz

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

11.1 V

最大箝位电压

17 V

击穿电压-最大值

12.3 V

符合标准

符合RoHS标准