Microchip Technology MSMCJLCE12Ae3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AB, SMC

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB (SMCJ)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

13.3 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

8 kV

Vesd - Voltage ESD Air Gap

15 kV

Cd - Diode Capacitance

100 pF

Ipp - Peak Pulse Current

75 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.011343 oz

Supplier Package

DO-214AB

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMCJLCE12

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMCJLCE12AE3

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

14 V

Risk Rank

5.26

Part Package Code

DO-214AB

Usage Level

Military grade

包装

Bulk

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电压

12 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.3V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

75A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

19.9V

箝位电压

19.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

12 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

100pF @ 1MHz

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

13.3 V

最大箝位电压

19.9 V

击穿电压-最大值

14.7 V