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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.318672
10
¥18.225166
100
¥17.19355
500
¥16.220331
1000
¥15.302201
Microchip Technology MSMLJ120Ae3
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- 对比
MSMLJ120Ae3
1610-MSMLJ120Ae3
TVS - 二极管
DO-214AB-2
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes TVS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MSMLJ120Ae3详情
Microchip Technology MSMLJ120Ae3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
DO-214AB-2
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
DO-214AB
RoHS
Details
Breakdown Voltage / V
133 V
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
3 kW
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Ipp - Peak Pulse Current
15.6 A
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
1.61 W
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.008818 oz
Supplier Package
DO-214AB
Peak Pulse Power Dissipation
3000 W
Direction Type
Uni-Directional
Mounting
表面贴装
Reverse Stand-off Voltage
120 V
Number of Elements
1
Package
Bulk
Base Product Number
SMLJ120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Usage Level
Military grade
包装
Bulk
操作温度
-65 to 150 °C
系列
Military, MIL-PRF-19500
类型
Zener
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
应用
通用型
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
工作电源电压
120 V
工作电压
120 V
极性
单向
配置
Single
通道数量
1 Channel
泄漏电流
2 µA
元素配置
Single
电源线保护
无
电压 - 击穿
133V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
15.6A
最大反向漏电电流
2 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
193V
箝位电压
193 V
电压 - 反向断态(典型值)
120V
峰值脉冲电流
15.6 A
峰值脉冲功率
3 kW
方向
单向
测试电流
1 mA
单向通道
1
电容@频率
-
反向击穿电压
133 V
筛选水平
Military
ESD保护
有
单向通道数
1
最小击穿电压
133 V
MSMLJ120Ae3拓展信息
Microchip Technology
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