Microchip Technology MSMLJ7.5AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AB, SMC

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Base Product Number

SMLJ7.5

Peak Pulse Power Dissipation

3000 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Breakdown Voltage / V

8.33 V

Pd - Power Dissipation

1.61 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

232.6 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

3 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MSMLJ75AE3

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-214AB

Supplier Package

DO-214AB

Unit Weight

0.008818 oz

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Rohs Code

有

Risk Rank

2.05

Usage Level

Military grade

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

工作电源电压

7.5 V

工作电压

7.5 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

8.33V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

232.6A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

12.9V

箝位电压

12.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

7.5V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

83.3 V

击穿电压-最大值

92.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes