Microchip Technology MV2N5115

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

7 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

100 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

30 V

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

6 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

产品类别

JFETs

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

15 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

3 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

100 Ohms

产品类别

JFET