Microchip Technology MXPLAD18KP36CAE3
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MXPLAD18KP36CAE3
1610-MXPLAD18KP36CAE3
TVS - 二极管
PLAD-2
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes 18kW Bi-Directional -55C to 150C
1最小包装量--
MXPLAD18KP36CAE3详情
Microchip Technology MXPLAD18KP36CAE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PLAD-2
供应商器件包装
PLAD
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Ipp - Peak Pulse Current
310 A
Breakdown Voltage / V
40 V
Base Product Number
PLAD18
厂商
微芯片技术
RoHS
Details
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
18 kW
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Package
Bulk
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
MX
包装
Bulk
类型
Zener
应用
通用型
终端样式
SMD/SMT
工作电源电压
36 V
工作电压
36 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
40V
功率 - 脉冲峰值
18000W (18kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
310A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
58.1V
箝位电压
58.1 V
电压 - 反向断态(典型值)
36V
双向通道
1
电容@频率
-
Vf-正向电压
2 V
MXPLAD18KP36CAE3拓展信息
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