Microchip Technology MXPLAD30KP260Ae3

包装/外壳

PLAD-2

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

289 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

71 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

250 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXPLAD30KP260AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.46

Usage Level

Military grade

系列

MX

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电源电压

260 V

工作电压

260 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箝位电压

419 V

测试电流

5 mA

Rep Pk反向电压-最大值

260 V

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

289 V

击穿电压-最大值

320 V

Vf-正向电压

4 V