Microchip Technology MXRT130KP275CA

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Case-5A

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Base Product Number

RT130KP275

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Breakdown Voltage / V

300 V

Ipp - Peak Pulse Current

292 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

130 kW

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MXRT130KP275CA

Power Dissipation (Max)

7 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.86

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-55°C ~ 150°C (TA)

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电压

275 V

极性

双向

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

300V

功率 - 脉冲峰值

130000W (130kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

292A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

445V

箝位电压

400 V

电压 - 反向断态（典型值）

275V (Max)

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

275 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

130000 W

击穿电压-最小值

300 V

产品类别

微芯片技术