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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥179.346783
10
¥169.195077
100
¥159.617999
500
¥150.583019
1000
¥142.059448
Microchip Technology MXUPTB10e3
- 收藏
- 对比
MXUPTB10e3
1610-MXUPTB10e3
TVS - 二极管
DO-216AA-2
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MXUPTB10e3详情
Microchip Technology MXUPTB10e3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-216AA-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
Powermite 1 (DO216-AA)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Ipp - Peak Pulse Current
8.33 A
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Breakdown Voltage / V
11 V
RoHS
Details
Product Status
活跃
厂商
微芯片技术
Base Product Number
UPTB10
Package
Bulk
包装
Bulk
系列
-
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
类型
Zener
应用
通用型
额定电流
2 uA
终端样式
SMD/SMT
工作电压
10 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
11V
功率 - 脉冲峰值
1000W (1kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
8.33A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
18V
箝位电压
18 V
电压 - 反向断态(典型值)
10V
双向通道
1
电容@频率
-
符合标准
RoHS Complaint
MXUPTB10e3拓展信息
Microchip Technology
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