Microchip Technology Inc AN0130NA
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AN0130NA
1610-AN0130NA
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP
1最小包装量--
AN0130NA详情
Microchip Technology Inc AN0130NA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
18
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Package Description
PLASTIC, DIP-18
Drain Current-Max (ID)
0.03 A
Number of Elements
8
Operating Temperature-Max
85 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDIP-T18
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
300 Ω
DS 击穿电压-最小值
300 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
反馈上限-最大值 (Crss)
1.5 pF
AN0130NA拓展信息
ELM Technology Corp
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