2N7002DW-TP
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Micro Commercial Co 2N7002DW-TP

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型号

2N7002DW-TP

utmel 编号

1603-2N7002DW-TP

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

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2N7002DW-TP
2N7002DW-TP Micro Commercial Co MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

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2N7002DW-TP详情

Micro Commercial Co 2N7002DW-TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 安装类型

    表面贴装

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    115mA

  • Number of Elements

    2

  • 已出版

    2008

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5 Ω @ 50mA, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.115A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    13.5Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.2W

  • 场效应管特性

    Standard

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micro Commercial Co 2N7002DW-TP.

2N7002DW-TP拓展信息

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