Micro Commercial Co 2N7002DW-TP
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2N7002DW-TP
1603-2N7002DW-TP
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
--最小包装量--
2N7002DW-TP详情
Micro Commercial Co 2N7002DW-TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
115mA
Number of Elements
2
已出版
2008
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
200mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5 Ω @ 50mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.115A
漏极-源极导通最大电阻
13.5Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2W
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2N7002DW-TP拓展信息
Micro Commercial Co
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