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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.411829
500
¥0.302817
1000
¥0.252344
2000
¥0.231511
5000
¥0.216363
10000
¥0.201269
15000
¥0.194652
50000
¥0.191394
Micro Commercial Co MMBTH10-TP
- 收藏
- 对比
MMBTH10-TP
1603-MMBTH10-TP
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBTH10-TP详情
Micro Commercial Co MMBTH10-TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
50mA
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
MMBTH10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
225mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
转换频率
650MHz
频率转换
650MHz
最大耗散功率(Abs)
0.225W
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
0.7pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MMBTH10-TP拓展信息







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