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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.996848
10
¥2.827212
100
¥2.667182
500
¥2.516212
1000
¥2.373789
Micro Commercial Co SI2303-TP
- 收藏
- 对比
SI2303-TP
1603-SI2303-TP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2303-TP详情
Micro Commercial Co SI2303-TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
250mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
226pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.13Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SI2303-TP拓展信息
Micro Commercial Co
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