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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.698
10
¥2.545286
100
¥2.401214
500
¥2.26529
1000
¥2.137066
Micro Commercial Co UMH1N-TP
- 收藏
- 对比
UMH1N-TP
1603-UMH1N-TP
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UMH1N-TP详情
Micro Commercial Co UMH1N-TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
UMH1N
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
56 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
最大耗散功率(Abs)
0.15W
电阻基(R1)
22k Ω
电阻-发射极基极(R2)
22k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
UMH1N-TP拓展信息








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