EDB5432BEBH-1DIT-F-R详情
Micron EDB5432BEBH-1DIT-F-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
VFBGA-134
表面安装
YES
引脚数
134
终端数量
134
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
533 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
1.95 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Supply Voltage-Min
1.14 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
美光技术
Brand
Micron
Package Description
VFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
EDB5432BEBH-1DIT-F-R
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
7.67
系列
EDB
包装
MouseReel
ECCN 代码
EAR99
类型
SDRAM Mobile - LPDDR2
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B134
电源电压-最大值(Vsup)
1.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
内存大小
512 Mbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
30 mA
访问时间
5.5 ns
数据总线宽度
32 b
组织结构
16 M x 32
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
32
产品类别
DRAM
密度
512 Mb
记忆密度
536870912 bit
最高频率
533 MHz
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
单库页面突发
自我刷新
YES
产品类别
DRAM
宽度
10 mm
长度
11.5 mm
EDB5432BEBH-1DIT-F-R拓展信息
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron








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